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5/28 技術情報 東芝デバイス&ストレージ

図1. Bottom p-wellを形成したトレンチゲート型SiC MOSFETの構造概略および今回の改良ポイント

 

トレンチゲート型SiC MOSFETの低損失化と短絡耐量向上を両立する技術を開発 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 | 日本